核心内容摘要
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第8 代BiCS FLASH™技术实现强大的性能和效率提升Kioxia Corporation铠侠是全球领先的内存解决方案提供商今天宣布该公司采用每单元4位的四层单元QLC技术的新款通用闪存1UFS版本
1嵌入式内存器件开始送样。
新款器件专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM 3D闪存技术。
QLC UFS相比传统TLC UFS具有更高的位密度非常适合需要大存储容量的移动应用。
得益于控制器技术和纠错技术的进步让QLC技术能够在实现这一目标的同时保持有竞争力的性能。
在这些技术进步的基础上Kioxia的新款器件实现了显著的性能提升2。
与上一代UFS
0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS相比Kioxia的QLC UFS将顺序写入速度提升了25%将随机读取速度提升了90%并将随机写入速度提升了95%3。
写放大系数WAF也提升了最高
5倍在禁用WriteBooster的情况下。
Kioxia QLC UFS不仅非常适合智能手机和平板电脑此外同样支持需要更高容量和性能的新型产品包括个人电脑PC、网络、增强现实/虚拟现实AR/VR、物联网IoT以及启用人工智能AI的设备。
新款UFS
1器件提供512 GB和1 TB两种容量将Kioxia先进的BiCS FLASH™ 3D闪存与集成的控制器组合在JEDEC标准封装中。
Kioxia的第8代BiCS FLASH™ 3D闪存推出了CMOS直接键合阵列CBA技术这一架构创新标志着闪存设计领域的一次飞跃式改变。
主要特点包括符合UFS
1规范。
UFS
1向后兼容UFS
0和UFS
1。
第8代Kioxia BiCS FLASH™ 3D闪存支持WriteBooster显著提升写入速度封装尺寸比上一代QLC UFS更小从11×13 mm缩小至9×13 mm相关链接Kioxia的UFS
1产品页面注(
通用闪存UFS是根据JEDEC UFS标准规范建造的一个嵌入式内存产品类别。
由于采用串行接口UFS支持全双工即可以在主机处理器和UFS器件之间实现并发读写(
基于Kioxia的内部测试(
512GB产品启用WriteBooster时- 凡提及某个Kioxia产品之处产品密度是指该产品内部的内存芯片密度而非最终用户可用于数据存储的内存容量大小。
由于开销数据区域、格式化、坏扇区和其他限制的原因用户可用容量将会低于该值。
要了解详情请参阅相关产品规格。
定义1KB 2^10字节 1,024字节1Gb 2^30位 1,073,741,824位1GB 2^30字节 1,073,741,824字节。
1Tb 2^40位 1,099,511,627,776位。
- 1 Gbps 1,000,000,000位/秒。
读写速度是Kioxia在特定测试环境中取得的最佳值Kioxia不保证具体器件设备上的读取或写入速度。
读写速度可能因所用设备以及读取或写入的文件大小而异。
- 公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。
关于KioxiaKioxia铠侠是全球领先的内存解决方案提供商专注于闪存和固态硬盘SSD的开发、生产及销售。
1987年东芝株式会社发明了NAND闪存技术2017年4月公司的前身东芝存储器从东芝株式会社分立。
Kioxia致力于通过提供可为客户创造丰富选择并为社会创造记忆价值的产品、服务和系统用“内存”提升世界。
Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造高强度应用所需存储的未来包括先进智能手机、个人电脑、车载系统、数据中心和生成式人工智能系统等。
*本文中的信息包括产品价格和规格、服务内容和联系信息在发布之日有效可能随时变更恕不提前通知。
QLC UFS