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单片机嵌入式系统试题第28期考察范围 C语言软件、硬件、项目经验综合题目在一个电池供电的智能温湿度传感器项目中你选用了内置12位ADC的MCU如STM32L系列。

系统每隔5分钟唤醒一次采集一次温湿度数据通过I2C接口的传感器如SHT30并将数据存入外部SPI Flash如W25Q16中。

当数据存满1000条后需要通过LORA模块一次性上传到云端。

请回答以下问题

硬件设计在设计SPI Flash电路时除了电源、地、SPI引脚SCK, MOSI, MISO外为什么通常还需要连接一个GPIO引脚到Flash的/CS片选和/HOLD或/WP引脚请分别说明这两个引脚在电路中作用以及若设计时直接将其接高电平或低电平可能导致的问题。

C语言软件在编写SPI Flash的驱动时需要实现一个函数void flash_write_page(uint32_t addr, uint8_t *data, uint16_t len)用于向指定地址写入一页数据页大小为256字节。

以下是部分代码框架请指出其中存在的三个潜在错误或可优化点并说明原因voidflash_write_page(uint32_taddr,uint8_t*data,uint16_tlen){uint16_ti;flash_cs_low();// 拉低片选spi_send_byte(0x

;// 发送写命令spi_send_byte((addr

0xFF);spi_send_byte((addr

0xFF);spi_send_byte(addr0xFF);for(i0;ilen;i){spi_send_byte(data[i]);}flash_cs_high();// 拉高片选}

项目经验系统要求极低功耗。

已知MCU在休眠时功耗为2μA工作时为3mA包括传感器采集和存储操作每次唤醒工作时间为100ms。

LORA模块上传数据时峰值电流为120mA每次上传时间为2秒。

假设电池容量为1200mAh请估算电池的理论续航时间按100%效率计算忽略电池自放电。

并指出在软件层面可采取的两种进一步降低功耗的措施。

答案与解析

硬件设计◦ /CS片选引脚 用于使能或禁用SPI Flash芯片。

若直接接固定电平如高电平则Flash将始终处于禁用或选中状态可能导致① 无法控制多设备SPI总线造成数据冲突② 当Flash未选中时其数据输出为高阻态可减少功耗固定电平会使功耗增加。

◦ /HOLD或/WP引脚◦ /HOLD暂停SPI通信而不取消片选用于MCU响应更高优先级中断。

若直接接地则无法使用暂停功能若接高电平则功能正常但失去硬件保护。

◦ /WP写保护引脚低电平时禁止写入。

若直接接高电平则失去硬件防误写保护若接地则Flash可能无法写入。

建议设计 应将这两个引脚连接到MCU的GPIO通过软件灵活控制。

C语言软件代码中的问题◦ 错误1缺少写使能命令。

在写操作前必须先发送0x06写使能命令否则写操作会被Flash忽略。

◦ 错误2未等待写操作完成。

发送数据后Flash需要时间完成内部编程典型值3~5ms。

应在拉高片选后轮询状态寄存器或延迟等待否则下次操作可能失败。

◦ 可优化点未检查页边界。

Flash写操作不能跨页256字节。

若len超过页剩余空间会导致数据写入错误地址。

应加入地址和长度检查。

修正示例部分voidflash_write_page(uint32_taddr,uint8_t*data,uint16_tlen){// 检查页边界if((addr%

len

return;// 或分段写入flash_write_enable();// 发送0x06命令// ... 发送地址和数据flash_cs_high();while(flash_is_busy());// 等待写完成}

项目经验◦ 功耗估算每天唤醒次数24h × 60min / 5min 288次。

MCU工作能耗288次 × (

1s × 3mA)

8

4 mAs/天

024 mAh/天。

MCU休眠能耗 (24×3600s -

2

8s) × 2μA ≈

1

8 mAs/天

048 mAh/天。

LORA能耗每1000条数据上传一次每天上传288/1000≈

288次实际每

47天一次。

每次能耗2s × 120mA 240 mAs

067 mAh。

日均

067/

47 ≈

019 mAh。

总日均能耗

024

048

019

091 mAh。

理论续航1200mAh /

091 mAh/天 ≈ 13187天约36年。

注实际续航远低于此因未考虑传感器、Flash、电路漏电、LORA唤醒、电池效率等因素。

◦ 进一步省电措施① 采集后立即休眠 将采集、存储、上传任务分段快速完成减少MCU活跃时间。

② 降低采集频率 根据温度变化率动态调整唤醒间隔如夜间延长至10分钟。

③ Flash断电 在非写读时段通过MOS管切断Flash电源功耗可降至nA级。

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